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J-GLOBAL ID：200902123195377509   整理番号：96A0107570

H₂Se雰囲気中の金属前駆物質のセレン化によるCu(InGa)Se₂均一膜の作製

Preparation of homogeneous Cu(InGa)Se₂ films by selenization of metal precursors in H₂Se atmosphere.

著者 (6件)： MARUDACHALAM M (Univ. Delaware, Delaware) ,  HICHRI H (Univ. Delaware, Delaware) ,  KLENK R (Univ. Delaware, Delaware) ,  BIRKMIRE R W (Univ. Delaware, Delaware) ,  SHAFARMAN W N (Univ. Delaware, Delaware) ,  SCHULTZ J M (Univ. Delaware, Delaware)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 26  ページ： 3978-3980  発行年： 1995年12月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga/(In+Ga)=0.25~0.75の均一で単相のCu(...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： H2Se ,  雰囲気 ,  前駆物質 ,  セレン ,  Cu ,  Inga ,  作製