液体Ga中における高圧窒素溶液からのバルクのGaN結晶成長

GRZEGORY I

文献

J-GLOBAL ID：200902123296322020 整理番号：01A0813837

液体Ga中における高圧窒素溶液からのバルクのGaN結晶成長

High pressure growth of bulk GaN from solutions in gallium.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0813837&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0813837&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0914B") }}

著者 (1件)：
資料名：
巻： 13 号： 32 ページ： 6875-6892 発行年： 2001年08月13日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

大きくて無転位のGaN結晶をGaAsのような他のIII-V族...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0813837&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0914B") }}

半導体の結晶成長

, , , , , ,

前のページに戻る