文献
J-GLOBAL ID：200902123536588252   整理番号：94A0012583

Effect of RTA on the properties of CVD-SiO2 layers.

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著者 (4件)：
BESHKOV G

BESHKOV G について

(Inst. Solid State Physics, Bulg. Acad. of Sciences, Sofia, BGR)

Inst. Solid State Physics, Bulg. Acad. of Sciences, Sofia, BGR について

, 
DIMITROV D

DIMITROV D について

(Inst. Solid State Physics, Bulg. Acad. of Sciences, Sofia, BGR)

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PASKALEVA A

PASKALEVA A について

(Inst. Solid State Physics, Bulg. Acad. of Sciences, Sofia, BGR)

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DIMITROVA T

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(Inst. Solid State Physics, Bulg. Acad. of Sciences, Sofia, BGR)

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資料名：
Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century  (Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century)

Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century について


ページ： 470-473  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930592  資料種別： 会議録 (C)
発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
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RTA

RTA について

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CVD

CVD について

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SiO2

SiO2 について


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