Si(001)表面におけるCl<sub>2</sub>とF<sub>2</sub>の解離吸着の第一原理分子動力学計算とSTM観察

文献

J-GLOBAL ID：200902123620237929 整理番号：02A0765154

Si(001)表面におけるCl₂とF₂の解離吸着の第一原理分子動力学計算とSTM観察

First-principles molecular-dynamics calculations and STM observations of dissociative adsorption of Cl₂ and F₂ on Si(001) surface.

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資料名：
巻： 515 号： 2/3 ページ： 287-295 発行年： 2002年09月01日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ハロゲン原子とけい素表面との相互作用を理解し,半導体電子素子...

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物理的手法を用いた吸着の研究

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