文献

J-GLOBAL ID：200902123774131767   整理番号：93A0210764

特集 絶縁膜の吸湿性対策 TEOS-O₃常圧CVD NSG膜の吸湿性に対する低温アニールの効果

Special issue : Water vapour absorption prevention of an insulating film.Effect of low-temperature annealing for the vapour absorption of NSG film fabricated by TEOS-O₃ normal pressure CVD.

著者 (5件)： 細田幸男 (富士通) ,  原田秀樹 (富士通) ,  清水敦男 (富士通) ,  渡部潔 (富士通) ,  芦田裕 (富士通)
資料名： 月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)
巻： 12  号： 3  ページ： 77-81  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 吸湿性の問題に対し,TEOS-O₃,N...

シソーラス用語： 絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： NSG膜 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0210764&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 絶縁膜 ,  吸湿性 ,  対策 ,  TEOS ,  O3 ,  常圧CVD ,  低温 ,  アニール