nチャネルLDDおよびSDポリSi TFTにおけるしきい値電圧と相互コンダクタンスのホットキャリア誘起劣化

TANGO H; SATOH T; IMAI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902123778874284 整理番号：02A0957984

nチャネルLDDおよびSDポリSi TFTにおけるしきい値電圧と相互コンダクタンスのホットキャリア誘起劣化

Hot-carrier-induced degradation of threshold voltage and transconductance in n-channel LDD and SD poly-Si TFTs.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0957984&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0957984&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 38 号： 20 ページ： 1227-1228 発行年： 2002年09月26日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

低温ポリSi低濃度ドープドレイン(LDD)薄膜トランジスタ(...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0957984&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

トランジスタ

, , , , , ,

前のページに戻る