GaAsとInAsのナノメートル寸法のホイスカの成長特性と光学的性質

HIRUMA K; YAZAWA M; KATSUYAMA T; OGAWA K; HARAGUCHI K; KOGUCHI M; KAKIBAYASHI H

文献

J-GLOBAL ID：200902124118424819 整理番号：95A0192133

GaAsとInAsのナノメートル寸法のホイスカの成長特性と光学的性質

Growth and optical properties of nanometer-scale GaAs and InAs whiskers.

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資料名：
巻： 77 号： 2 ページ： 447-462 発行年： 1995年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記について展望と議論を行った。まず,Auを成長触媒として用...

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半導体の結晶成長

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