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J-GLOBAL ID：200902124273713959   整理番号：97A0572962

1/4充満の擬似一次元電子系におけるMott転移

Mott transition in quasi-one-dimensional electron systems at quarter filling.

著者 (1件)： YONEMITSU K (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 85  号： 1/3  ページ： 1635-1636  発行年： 1997年02月15日 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォノンのダイナミック特性と反転過程の弱さを十分考慮して,後...

シソーラス用語： Mott転移 ,...
準シソーラス用語： DCNQI ,...

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分類 (2件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 擬似 ,  電子系 ,  Mott転移