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J-GLOBAL ID：200902124333531642   整理番号：94A0467384

Bi(o-C₇H₇)₃及びTi(i-OC₃H₇)₂(DPM)₂を用いたMOCVD法によるc軸配向Bi₄Ti₃O₁₂薄膜の形成

Preparation of Bi₄Ti₃O₁₂ Thin Films with c-axis Orientation by MOCVD Using Bi(o-C₇H₇)₃ and Ti(i-OC₃H₇)₂(DPM)₂.

著者 (3件)： YOSHIMURA K (Science Univ., Tokyo) ,  OKAMURA S (Science Univ., Tokyo) ,  TSUKAMOTO T (Science Univ., Tokyo)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 102  号： 5  ページ： 512-515  発行年： 1994年05月 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500~600°CのMOCVD法でPt/Ti/SiO<sub>...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： シリカ ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (10件)：

• 1) J. F. Scott and C. A. Araujo, Science, 246, 1400-05 (1989).
• 2) M. H. Francombe, Ferroelectrics, 3, 199-211 (1972).
• 3) K. Sugibuchi, Y. Kurogi and N. Endo, J. Appl. Phys., 46, 2877-81 (1975).
• 4) Y. Masuda, A. Baba, H. Masumoto, T. Goto, M. Minakata and T. Hirai, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 2212-15 (1991).
• 5) M. Toyoda, Y. Hamaji, K. Tomono and D. A. Payne, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4158-62 (1993).

タイトルに関連する用語 (6件)： BI ,  Ti ,  dpm ,  MOCVD ,  c軸配向 ,  薄膜