文献

J-GLOBAL ID：200902124423211256   整理番号：00A0099259

Ge/Si島状構造成長中のピラミッドとドームの間の転移状態

Transition States Between Pyramids and Domes During Ge/Si Island Growth.

著者 (3件)： ROSS F M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  TROMP R M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  REUTER M C (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 286  号： 5446  ページ： 1931-1934  発行年： 1999年12月03日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)上でGe-Si島構造が成長するときにみられるピ...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0099259&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0078A") }}

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Si ,  島状構造 ,  成長 ,  ピラミッド ,  ドーム ,  転移状態