増大ステップパルスプログラミング方式の3.3V,32Mb NANDフラッシュメモリ

SUH K-D; SUH B-H; LIM Y-H; KIM J-K; CHOI Y-J; KOH Y-N; LEE S-S; KWON S-C; LIM H-K

文献

J-GLOBAL ID：200902124534969778 整理番号：96A0171772

増大ステップパルスプログラミング方式の3.3V,32Mb NANDフラッシュメモリ

A 3.3 V 32 Mb NAND Flash Memory with Incremental Step Pulse Programming Scheme.

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巻： 30 号： 11 ページ： 1149-1156 発行年： 1995年11月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

94.9mm²ダイサイズ,高歩留り,0...

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半導体集積回路 , 記憶装置

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