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J-GLOBAL ID：200902124590880003   整理番号：95A0253696

高フルエンスでの半絶縁性GaドープCdTe内のピコ秒直交偏光ビーム結合

Picosecond cross-polarization beam coupling in semi-insulating Ga-doped CdTe at high fluences.

著者 (2件)： TOMITA Y (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  ENAMI E (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 8  ページ： 914-916  発行年： 1995年02月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長1.064μm,30psのポンプパルスとプローブパルスを...

シソーラス用語： テルル化カドミウム ,...

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分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (8件)： フルエンス ,  半絶縁性 ,  Ga ,  ドープ ,  CdTe ,  ピコ秒 ,  直交偏光 ,  ビーム結合