分子ビームエピタクシーで成長させたホモエピタキシャルp型ZnOの特性評価

LOOK D C; REYNOLDS D C; LITTON C W; JONES R L; EASON D B; CANTWELL G

文献

J-GLOBAL ID：200902124834047350 整理番号：02A0729178

分子ビームエピタクシーで成長させたホモエピタキシャルp型ZnOの特性評価

Characterizatin of homoepitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 81 号： 10 ページ： 1830-1832 発行年： 2002年09月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Li拡散した半絶縁性ZnO基板上にNドープp型ZnO層をMB...

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導 , 半導体のルミネセンス

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