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J-GLOBAL ID：200902125281735232   整理番号：02A0570411

極薄SOI膜MOSFETの反転層移動度に対する埋め込み酸化層界面の影響

Influences of Buried-Oxide Interface on Inversion-Layer Mobility in Ultra-Thin SOI MOSFETs.

著者 (3件)： KOGA J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 6  ページ： 1042-1048  発行年： 2002年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の影響を明らかにするために、埋め込み酸化層界面の品質の異...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  MOSFET ,  反転層 ,  移動度 ,  埋め込み ,  酸化層 ,  界面