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J-GLOBAL ID：200902125567457310   整理番号：94A0154275

GaAs基板上の3元GaInP混晶成長に対する表面光吸収(SPA)法評価

Monitering for growth of ternary GaInP alloys on GaAs substrates by surface photo-absorption method.

著者 (3件)： 柳沢浩徳 (日立 中研) ,  田中俊明 (日立 中研) ,  皆川重量 (日立 中研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 1  ページ： 295  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs基板 ,  GaInP ,  混晶 ,  成長 ,  表面光吸収 ,  SPA ,  法 ,  評価