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J-GLOBAL ID：200902125840737534   整理番号：97A0581774

GaNとGaAsにおける高電界電子輸送の比較

Comparison of high field electron transport in GaN and GaAs.

著者 (4件)： FOUTZ B E (Cornell Univ., New York) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., New York) ,  BHAPKAR U V (Univ. Virginia, Virginia) ,  SHUR M S (Univ. Virginia, Virginia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 21  ページ： 2849-2851  発行年： 1997年05月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集団モンテカルロ法で,両バルク物質の高電界電子輸送を調べた。...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  GaAs ,  高電界 ,  電子輸送