文献
J-GLOBAL ID：200902125879561344
整理番号：00A0283129
金属-絶縁体-金属(Ti/TaOx/Ta)型薄膜ダイオードの電流-電圧特性と伝導率
Current-Voltage Characteristics and Conductivity of Metal-Insulator- Metal (Ti/TaOx/Ta) Type Thin-Film Diode.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
39
号：
2A
ページ：
657-661
発行年：
2000年02月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Ti/TaO
x/Ta素子を持つ実際の薄...
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ダイオード
引用文献 (23件)：
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1) D. E. Castleberry: IEEE Trans. Electron Devices 26 (1979) 1123.
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2) D. G. Ast: Conf. Rec. 2nd Int. Display Research Conf., Cherry Hill, 1982 (IEEE, New York, 1982) p. 152.
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3) D. R. Baraff, R. Boynton, B. Gribbon, J. R. Long, B. K. Maclaurin and C. J. Miner: 1980 Society for Information Display Int. Symp. Dig. Tech. Pap., Florida, 1980 (Society for Information Display, Playa del Rey, 1980) p. 200.
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4) D. R. Baraff, J. R. Long, B. K. McLaurin, C. J. Miner and R. W. Streter: IEEE Trans. Electron Devices 28 (1981) 736.
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5) N. Ono, H. Aruga, T. Ushiki, K. Suzuki, T. Ushiyama, Y. Noda, T. Kamikawa, K. Kaneko and S. Morozumi: 1990 Society for Information Display Int. Symp. Dig. Tech. Pap., Las Vegas, 1990 (Society for Information Display, Playa del Rey, 1990) p. 518.
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