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J-GLOBAL ID：200902125880685359   整理番号：98A0605256

高い周囲温度で動作可能なこはく色のInGaN発光ダイオード

Amber InGaN-Based Light-Emitting Diodes Operable at High Ambient Temperatures.

著者 (3件)： MUKAI T (Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN) ,  NARIMATSU H (Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 5A  ページ： L479-L481  発行年： 1998年05月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に成長させたInGaN単一量子井戸構造を持つ...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (9件)：

• 1) For a review, see S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997) 1st ed.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332
• 3) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, Oct. 27-31, 1997, LN-9.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797
• 5) F. A. Kish and R. M. Fletcher: AlInGaP Light-Emitting Diodes, eds. G. B. Stringfellow and M. G. Craford (Academic Press, San Diego, 1997) Semiconductors and Semimetals Vol. 48, Chap. 5, p. 149.

タイトルに関連する用語 (4件)： 周囲温度 ,  こはく ,  InGaN ,  発光ダイオード