GaAsの電子照射 輸送性質の改善と大気圧下のDX類似の中心の観察

GHAMLOUCH H; AUBIN M; CARLONE C; KHANNA S M

文献

J-GLOBAL ID：200902126091972277 整理番号：93A0937340

GaAsの電子照射輸送性質の改善と大気圧下のDX類似の中心の観察

Electron irradiation of GaAs: Improvement of transport properties and observation of DX-like centers at ambient pressure.

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巻： 74 号： 7 ページ： 4357-4362 発行年： 1993年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エピタキシャルn型GaAs試料に1×10<sup>13</s...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 不純物・欠陥の電子構造

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