分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造

BULSARA M T; YANG V; THILDERKVIST A; FITZGERALD E A; HAUESLER K; EBERL K

文献

J-GLOBAL ID：200902126143796928 整理番号：98A0189231

分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成In_xGa_1-xAs/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造

Graded In_xGa_1-xAs/GaAs 1.3μm wavelength light emitting diode structures grown with molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 83 号： 1 ページ： 592-599 発行年： 1998年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

In_xGa_1-x...

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半導体薄膜 , 発光素子

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分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成InxGa1-xAs/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造

分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成In_xGa_1-xAs/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造