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J-GLOBAL ID:200902126161816766   整理番号:00A0382764

超臨界乾燥による高度に多孔質のシリカエーロゲル薄膜の作製

Preparation of Highly Porous Silica Aerogel Thin Film by Supercritical Drying.
著者 (5件):
資料名:
巻: 39  号: 3A/B  ページ: L182-L184  発行年: 2000年03月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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超LSIのための超低誘電率材料としての多孔質シリカエーロゲル...
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分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 
引用文献 (8件):
  • LIST, R. S. 1997 Symp.VLSI Technology Dig.Tech.Papers. 1997, 77
  • RAMOS, T. Proc.Advanced Metalization Conf., ULSI XII, 1996. 1997, 455
  • HRUBESH, L. W. Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1995, 371, 195
  • HRUBESH, L. W. J.Mater.Res. 1993, 8, 1736
  • ADACHI, T. J.Mater.Sci. 1987, 22, 4407
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