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J-GLOBAL ID：200902126299206306   整理番号：94A0051222

メタクリル酸ポリマを用いた193nmと248nmリソグラフィーのための新単層ポジレジスト

New single-layer positive resists for 193- and 248-nm lithography using methacrylate polymers.

著者 (5件)： ALLEN R D (IBM Research Division, California) ,  WALLRAFF G M (IBM Research Division, California) ,  HINSBERG W D (IBM Research Division, California) ,  CONLEY W E (IBM Microelectronics Division, New York) ,  KUNZ R R (MIT Lincoln Lab., Massachusetts)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 36  号： 11  ページ： 53-54,56,58,60,62,64,66  発行年： 1993年11月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能でポジ化学増幅(CA)レジスト探求について述べた。メタ...

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,...
準シソーラス用語： メタクリル酸

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： メタクリル酸 ,  ポリマ ,  リソグラフィー ,  単層 ,  ポジレジスト