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J-GLOBAL ID：200902126489448314   整理番号：03A0115860

バルク成長分科会特集 結晶成長の科学と技術 昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察

SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method and Its In-situ Observation.

著者 (6件)： 西沢伸一 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ) ,  山口博隆 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ) ,  加藤智久 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ) ,  小柳直樹 (新機能素子研究開協 先進パワーデバイス研) ,  木藤泰男 (新機能素子研究開協 先進パワーデバイス研) ,  荒井和雄 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 29  号： 5  ページ： 431-438  発行年： 2002年12月25日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCデバイスを実現するためには成長結晶の品質を改善する必要...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (13件)：

• 荒井. 電子技術総合研究所彙報. 1999, 61, 61
• KNIPPENBERG, W. F. Philips Research Reports. 1963, 18, 161
• TAIROV, Y. M. J. Crystal Growth. 1978, 43, 209
• TSVETKOV, V. F. Inst. Phys. Conf. Ser. 1996, 142, 17
• NISHIZAWA, S. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 640, H1.5

タイトルに関連する用語 (9件)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  結晶成長 ,  科学 ,  昇華 ,  SiC ,  単結晶成長 ,  その場観察