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文献
J-GLOBAL ID:200902126489448314   整理番号:03A0115860

バルク成長分科会特集 結晶成長の科学と技術 昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察

SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method and Its In-situ Observation.
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 431-438  発行年: 2002年12月25日
JST資料番号: F0452B  ISSN: 0385-6275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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SiCデバイスを実現するためには成長結晶の品質を改善する必要...
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
引用文献 (13件):
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