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J-GLOBAL ID：200902126515279941   整理番号：01A0690629

MBE成長GaNAs/GaAs量子井戸構造の構造的及び光学的特性

Structural and optical properties of MBE grown GaNAs/GaAs quantum well structures.
著者 (4件)：
NODA T

NODA T について

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について

, 
KOSHIBA S

KOSHIBA S について

(Kagawa Univ., Kagawa, JPN)

Kagawa Univ., Kagawa, JPN について

, 
NAGAMUNE Y

NAGAMUNE Y について

(Electrotechnical-lab., Ibaraki, JPN)

Electrotechnical-lab., Ibaraki, JPN について

, 
SAKAKI H

SAKAKI H について

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 227/228  ページ： 496-500  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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5nm及び10nm厚さのひ素リッチGaNx</su...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*量子井戸

量子井戸 について

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分類 (3件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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MBE成長

MBE成長 について

, 
GaAs

GaAs について

, 
量子井戸

量子井戸 について

, 
光学的特性

光学的特性 について


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