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J-GLOBAL ID：200902126750003082   整理番号：02A0200779

OUM スタンドアローン及び埋込み応用のための180nm不揮発性メモリセル素子技術

OUM-A 180nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications.

著者 (2件)： LAI S (Intel Corp., CA) ,  LOWREY T (Intel Corp., CA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2001  ページ： 803-806  発行年： 2001年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現存の不揮発性メモリより書込み速度が速く,耐久性の高い不揮発...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： OUM【メモリ】 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋込み ,  応用 ,  不揮発性メモリ ,  セル