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J-GLOBAL ID：200902126752047982   整理番号：00A0492432

OH分子によるエッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション

First-Principles Molecular-Dynamics Simulations of Etching Process by OH Molecules.

著者 (7件)： GOTO H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HIROSE K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGIYAMA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  INAGAKI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOBATA I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOYOTA H (Ehime Univ., Ehime, JPN)
資料名： Technology Reports of the Osaka University  (Technology Reports of the Osaka University)
巻： 50  号： 2366/2377  ページ： 33-39  発行年： 2000年04月15日 
JST資料番号： G0635A  ISSN： 0030-6177  CODEN： TROUA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超純水中の電気化学的エッチング過程の機構を調べるために,第一...

シソーラス用語： *エッチング ,...

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分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子 ,  エッチング ,  過程 ,  第一原理分子動力学シミュレーション