欠陥密度の低いSiC-SiO<sub>2</sub>界面のプラズマ形成

GOELZ A; LUCOVSKY G; KOH K; WOLFE D; NIIMI H; KURZ H

文献

J-GLOBAL ID：200902126769316669 整理番号：97A0872454

欠陥密度の低いSiC-SiO₂界面のプラズマ形成

Plasma-assisted formation of low defect density SiC-SiO₂ interfaces.

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

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巻： 15 号： 4 ページ： 1097-1104 発行年： 1997年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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