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J-GLOBAL ID：200902126862705314   整理番号：98A0037141

低誘電率層間絶縁体用のふっ化非晶質炭素薄膜のふっ素濃度の制御

Controlling Fluorine Concentration of Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films for Low Dielectric Constant Interlayer Dielectrics.

著者 (2件)： ENDO K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  TATSUMI T (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 11B  ページ： L1531-L1533  発行年： 1997年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C₄F₈ガスから...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 層間絶縁膜

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• 1) K. Endo and T. Tatsumi: J. Appl. Phys. 78 (1995) 1370
• 2) M. Matsubara, K. Endo, T. Tatsumi, H. Ueno, K. Sugai and T. Horiuchi: IEDM Tech. Dig. (1996) p. 369.
• 3) S. Takeishi, H. Kudo, R. Shinohara, M. Hoshino, S. Fukuyama, J. Yamaguchi and Y. Yamada: Proc. DUMIC Conf. (1996) p. 71.
• 4) K. Endo, T. Tatsumi, Y. Matsubara and T. Horiuchi: Ext. Abstr. Fall Meeting, Boston, 1996, Material Research Society, H4.3.
• 5) L. D. B. Kiss, J.-P. Nicolai, W. T. Conner and H. H. Sawin: J. Appl. Phys. 71 (1992) 3186

タイトルに関連する用語 (5件)： 低誘電率 ,  層間絶縁 ,  非晶質 ,  炭素薄膜 ,  ふっ素