文献

J-GLOBAL ID：200902126932743286   整理番号：98A0240619

シリコン上の紫外線と紫色のGaN発光ダイオード

Ultraviolet and violet GaN light emitting diodes on silicon.

著者 (2件)： GUHA S (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  BOJARCZUK N A (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 4  ページ： 415-417  発行年： 1998年01月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に分子ビームエピタクシーによって成長した...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0240619&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  紫外線 ,  紫色 ,  GaN ,  発光ダイオード