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J-GLOBAL ID：200902127237942819   整理番号：02A0842964

GaNおよび関連した化合物に対するRaman散乱による研究

Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering.

著者 (1件)： HARIMA H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 14  号： 38  ページ： R967-R993  発行年： 2002年09月30日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNおよびこの化合物と関連を持つ窒化物に対する,Raman...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： フォノンスペクトル ,...

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分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  Raman散乱 ,  研究