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J-GLOBAL ID：200902127262280413   整理番号：93A0798495

光を放出する多孔質シリコンの光ルミネセンスピーク位置のピンニング 量子サイズ効果の証拠

Pinning of Photoluminescence Peak Positions for Light-Emitting Porous Silicon: An Evidence of Quantum Size Effect.

著者 (8件)： WANG X (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG D (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YE L (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YANG M (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HAO P (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  FU H (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HOU X (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  XIE X (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 71  号： 8  ページ： 1265-1267  発行年： 1993年08月23日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質シリコンの光ルミネセンス(PL)ピークのエネルギーを測...

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,...
準シソーラス用語： TB近似

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 放出 ,  多孔質シリコン ,  光ルミネセンス ,  ピーク位置 ,  ピンニング ,  量子サイズ効果 ,  証拠