文献

J-GLOBAL ID：200902127334965068   整理番号：99A0618567

ウルツ鉱型のGaN,InN,AlNにおける過渡電子輸送

Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN.

著者 (4件)： FOUTZ B E (Cornell Univ., New York) ,  O’LEARY S K (Univ. Regina, Saskatchewan, CAN) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., New York)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 85  号： 11  ページ： 7727-7734  発行年： 1999年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の過渡電子輸送と速度オーバシュートを調べ,GaAsの場合...

シソーラス用語： *ウルツ鉱型結晶 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0618567&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  InN ,  AlN ,  電子輸送