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J-GLOBAL ID：200902127481405760   整理番号：99A0694406

パルスレーザ蒸着により作製したCuInSe₂膜のアニーリング効果

Annealing effects of CuInSe₂ films prepared by pulsed laser deposition.

著者 (2件)： KURANOUCHI S (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  YOSHIDA A (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 343/344  ページ： 123-126  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInSe₂(CIS)膜を標記方法で...

シソーラス用語： *セレン化インジウム銅 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  アニーリング効果