文献
J-GLOBAL ID:200902127504482121   整理番号:95A0921365

高精度TVDスキームを用いたデバイスシュミレーションの試み

High-Acucuracy TVD Scheme Approach to the Device simulations.
著者 (2件):
資料名:
巻: 95  号: 231(VLD95 66-77)  ページ: 49-54  発行年: 1995年09月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体デバイスの微細化に伴い,運動量,エネルギー方程式等の非...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0921365&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
計算機シミュレーション  ,  固体デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る