文献

J-GLOBAL ID：200902127673527509   整理番号：00A0454214

規則的な半導体ZnOナノ細線アレイとそれらの光ルミネセンス

Ordered semiconductor ZnO nanowire arrays and their photoluminescence properties.

著者 (4件)： LI Y (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  MENG G W (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  ZHANG L D (Inst. Solid State Physics, Chinese Acad. Sci., Hefei, CHN) ,  PHILLIPP F (Max-Planck-Inst. Metallforsch., Stuttgart, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 15  ページ： 2011-2013  発行年： 2000年04月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽極酸化アルミナ膜中に埋め込んだ規則的なZnOナノ細線を,ナ...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： ナノ細線

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0454214&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 規則 ,  ZnO ,  ナノ細線 ,  アレイ ,  光ルミネセンス