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J-GLOBAL ID：200902127745896539   整理番号：00A1036122

TCADを用いた統計的手法による0.12μm CMOSデバイスの設計

著者 (6件)： 福田智之 (日立 デバイス開セ) ,  本沢純 (日立 デバイス開セ) ,  和田真一郎 (日立 デバイス開セ) ,  森和孝 (日立 デバイス開セ) ,  佐藤久子 (日立 デバイス開セ) ,  国友久彰 (日立超LSIシステムズ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 100  号： 294(VLD2000 57-68)  ページ： 13-18  発行年： 2000年09月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,LSIの高性能化・大規模化にともない,LSIの信頼性を...

シソーラス用語： *CAD【計算機】 ,...
準シソーラス用語： Iddqテスト ,...

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分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： TCAD ,  統計的手法 ,  CMOS ,  設計