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J-GLOBAL ID：200902128095025704   整理番号：95A0635204

ワイドギャップ半導体シリコンカーバイドのバルク単結晶成長

Bulk single-crystal growth of wide-band-gap semiconductor silicon carbide.

著者 (5件)： 金谷正敏 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  大谷昇 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  高橋淳 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  西川猛 (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  勝野正和 (新日本製鉄 エレクトロニクス研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 64  号： 7  ページ： 642-652  発行年： 1995年07月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 広禁制帯幅半導体シリコンカーバイド(SiC)は,耐環境用デバ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： マイクロパイプ欠陥

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (86件)：

• ERSKINE, J. C. Transactions on the 2nd International High Temperature Electronics Conf. 1994, I-9
• TAJIMA, M. Transactions on the 2nd International High Temperature Electronics Conf. 1994, I-29
• Silicon Carbide 1973, Proceedings of the 3rd International Conf. on Silicon Carbide, Miami, Florida. 1974
• DAVIS, R. F. Int. J. of Materials and Product Technology. 1989, 4, 81
• 上野勝典. 第6回SiC研究会予稿集. 1991, III-2

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドギャップ半導体 ,  シリコンカーバイド ,  バルク ,  単結晶成長