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J-GLOBAL ID：200902128306745032   整理番号：02A0892506

電力用MOSFETのスイッチング波形 電荷位置の物理解析に基づいた経験的モデル

Power MOSFET switching waveforms: An empirical model based on a physical analysis of charge locations.
著者 (5件)：
AUBARD L

AUBARD L について

(Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)

Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA について

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VERNEAU G

VERNEAU G について

(Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)

Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA について

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CREBIER J C

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(Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)

Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA について

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SCHAEFFER C

SCHAEFFER C について

(Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)

Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA について

, 
AVENAS Y

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(Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)

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資料名：
Record. IEEE Power Electronics Specialists Conference  (Record. IEEE Power Electronics Specialists Conference)

Record. IEEE Power Electronics Specialists Conference について


巻： 33rd  号： Vol.3  ページ： 1305-1310  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0800A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電力MOSFETのダイナミックモデルでは電極間寄生容量が主要...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (7件)：
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波形

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電荷

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物理

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解析

解析 について

, 
経験的モデル

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