有機金属化学蒸着によって成長させたGaNホモエピタキシャル層

LESZCZYNSKI M; BEAUMONT B; FRAYSSINET E; KNAP W; PRYSTAWKO P; SUSKI T; GRZEGORY I; POROWSKI S

文献

J-GLOBAL ID：200902128351909992 整理番号：99A0866136

有機金属化学蒸着によって成長させたGaNホモエピタキシャル層

GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition.

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 75 号： 9 ページ： 1276-1278 発行年： 1999年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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反応性イオンエッチングを施した(00.1)Ga上に0.01~...

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