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J-GLOBAL ID：200902128456132250   整理番号：93A0400837

NH₃を使って窒化したN₂O成長酸化物のMOS特性

MOS Characteristics of NH₃-Nitrided N₂O-Grown Oxides.

著者 (4件)： YOON G W (Univ. Texas, TX) ,  JOSHI A B (Univ. Texas, TX) ,  KIM J (Univ. Texas, TX) ,  KWONG D-L (Univ. Texas, TX)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 14  号： 4  ページ： 179-181  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS素子の電気特性や信頼性に悪い影響を与えずに,Bの浸透に...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： NH3 ,  窒化 ,  N2O ,  成長 ,  酸化物 ,  MOS