三元溶液からのGaInSbバルク結晶の多段階引き上げ

文献

J-GLOBAL ID：200902128617400020 整理番号：00A0356290

Multi-step pulling of GaInSb bulk crystal from ternary solution.

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資料名：
巻： 209 号： 4 ページ： 625-629 発行年： 2000年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Ga-In-Sb三元溶液からのGaInSb固溶体結晶の成長に...

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半導体の結晶成長

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