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J-GLOBAL ID：200902129048914505   整理番号：95A0065598

6H-SiCにおけるモノリシックNMOSディジタル集積回路

Monolithic NMOS Digital Integrated Circuits in 6H-SiC.

著者 (3件)： XIE W (Purdue Univ., IN, USA) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 455-457  発行年： 1994年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップの半導体シリコンカーバイド(SiC)におけ...

シソーラス用語： ディジタル集積回路 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 6H-SiC ,  NMOS ,  ディジタル集積回路