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J-GLOBAL ID：200902129669916021   整理番号：99A0610248

MBE成長したGaAs/AlGaAs単一へテロ接合の低温電子物性のヒ素原子種に対する依存性

Dependencies of low-temperature electronic properties of MBE-grown GaAs/AlGaAs single heterojunctions upon arsenic species.

著者 (5件)： YAMADA S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  OKAYASU J (Advantest Res. Inst., Ishikawa, JPN) ,  GOZU S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  HONG C U (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  HORI H (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 201/202  ページ： 800-804  発行年： 1999年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  テロ ,  低温 ,  電子物性 ,  ヒ素 ,  依存性