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J-GLOBAL ID：200902129710672517   整理番号：01A0052273

非共鳴過渡四光波混合法による陽子照射したInGaAs/GaAs多重量子井戸構造の評価

Characterization of Proton-Irradiated InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures by Nonresonant Transient Four-Wave Mixing Technique.

著者 (9件)： JARASIUNAS K (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  MIZEIKIS V (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  IWAMOTO S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIOKA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUKUTANI K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMURA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KURODA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 10  ページ： 5781-5787  発行年： 2000年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記構造と基板における自由キャリア寿命と輸送におよぼす陽子照...

シソーラス用語： 四光波混合 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (23件)：

• 1) D. D. Nolte: J. Appl. Phys. 85 (1999) 6259.
• 2) Photorefractive Effects and Materials, ed. D. D. Nolte (Kluwer Academic, Dordrecht, 1995).
• 3) Q. Wang, R. M. Brubaker, D. D. Nolte and M. R. Melloch: J. Opt. Soc. Am. B 9 (1992) 1626.
• 4) Y. Silberberg, P. W. Smith, D. A. B. Miller, B. Tell, A. C. Gossard and W. Wiegmann: Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 701.
• 5) E. Lugagne Delpon, J. L. Oudar, N. Bouch and R. Raj: Proc. Conf. Laser and Electro-Optics ''98, San Francisco, 1998 (Optical Society of America, Washington, 1998) p. 536.

タイトルに関連する用語 (7件)： 共鳴 ,  四光波混合 ,  陽子照射 ,  InGaAs ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  評価