窒化物-ひ化物への窒素の導入  アニール後の改善されたルミネセンス効率の起源

SPRUYTTE S G; COLDREN C W; HARRIS J S; WAMPLER W; KRISPIN P; PLOOG K; LARSON M C

文献

J-GLOBAL ID：200902129711168588 整理番号：01A0568275

窒化物-ひ化物への窒素の導入アニール後の改善されたルミネセンス効率の起源

Incorporation of nitrogen in nitride-arsenides: Origin of improved luminescence efficiency after anneal.

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資料名：
巻： 89 号： 8 ページ： 4401-4406 発行年： 2001年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記化合物に関しては,通常デバイス品質の材料を得るためにはア...

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半導体のルミネセンス , 半導体の格子欠陥

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窒化物-ひ化物への窒素の導入 アニール後の改善されたルミネセンス効率の起源

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