イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi<sub>2</sub>の光吸収研究

YANG Z; HOMEWOOD K P; FINNEY M S; HARRY M A; REESON K J

文献

J-GLOBAL ID：200902129728899330 整理番号：95A0757036

イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi₂の光吸収研究

Optical absorption study of ion beam synthesized polycrystalline semiconducting FeSi₂.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=95A0757036&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0757036&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 78 号： 3 ページ： 1958-1963 発行年： 1995年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si(001)基板上にイオンビーム合成で成長させたFeSi<...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0757036&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

光物性一般 , 半導体薄膜

, , ,

前のページに戻る

イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi2の光吸収研究

イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi₂の光吸収研究