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J-GLOBAL ID：200902129784051565   整理番号：96A0641043

可視発光層状BC2N半導体

Visible-Light-Emitting Layered BC2N Semiconductor.
著者 (4件)：
WATANABE M O

WATANABE M O について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について

, 
ITOH S

ITOH S について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について

, 
SASAKI T

SASAKI T について

(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)

National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN について

, 
MIZUSHIMA K

MIZUSHIMA K について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について


資料名：
Physical Review Letters  (Physical Review Letters)

Physical Review Letters について


巻： 77  号： 1  ページ： 187-189  発行年： 1996年07月01日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記の化合物半導体のバンドギャップを調べた。走査型トンネリン...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ホウ素化合物

ホウ素化合物 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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価電子帯

価電子帯 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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発光層

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