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J-GLOBAL ID：200902129869395441   整理番号：97A0356893

ボラジンからプラズマ増強化学蒸着で作成したSiBNおよびSiBON皮膜の内部接続誘電体としての応用

Use of SiBN and SiBON Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition from Borazine as Interconnection Dielectrics.

著者 (5件)： KANE W F (IBM Res. Div., New York, USA) ,  COHEN S A (IBM Res. Div., New York, USA) ,  HUMMEL J P (IBM Res. Div., New York, USA) ,  LUTHER B (IBM Res. Div., New York, USA) ,  BEACH D B (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 144  号： 2  ページ： 658-663  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型組成がSi_0.09B<sub>0...

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,...

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分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ボラジン ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  皮膜 ,  誘電体 ,  応用