ほう素をドープしたダイヤモンド薄膜電極

XU J; GRANGER M C; CHEN Q; STROJEK J W; LISTER T E; SWAIN G M

文献

J-GLOBAL ID：200902129937231916 整理番号：97A0955616

ほう素をドープしたダイヤモンド薄膜電極

Boron-Doped Diamond Thin-Film Electrodes.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0955616&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0955616&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0395A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 69 号： 19 ページ： 591A-597A 発行年： 1997年10月01日
JST資料番号： A0395A ISSN： 0003-2700 CODEN： ANCHAM 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題に関する研究の動向を概観した。ダイヤモンドの化学,高導電...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0955616&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0395A") }}

電気化学一般 , 電気分析一般 , 分析機器

, , ,

前のページに戻る