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J-GLOBAL ID：200902129939932091   整理番号：94A0026224

Si単結晶表面の構造欠陥と反応選択性

Reaction selectivity of Si single crystal with well-defined surface defects.
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著者 (2件)：
片山和俊

片山和俊 について

(慶応大 理工)

慶応大 理工 について

, 
仙名保

仙名保 について

(慶応大 理工)

慶応大 理工 について


資料名：
固体の反応性討論会講演予稿集  (固体の反応性討論会要旨集)

固体の反応性討論会講演予稿集 について


巻： 4th  ページ： 26-29  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： L0839A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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Si単結晶

Si単結晶 について

, 
構造欠陥

構造欠陥 について

, 
選択性

選択性 について


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